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J-GLOBAL ID：200902152369551260   整理番号：97A0057161

電気化学走査電子顕微鏡によるn-GaAs表面上のメソスコピック構造の加工

Fabrication of mesoscopic structures on n-GaAs surfaces by electrochemical scanning electron microscope.
著者 (2件)：
KANESHIRO C

KANESHIRO C について

(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)

Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN について

, 
OKUMURA T

OKUMURA T について

(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)

Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN について


資料名：
Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)

Physica B. Condensed Matter について


巻： 227  号： 1/4  ページ： 271-275  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Ni塩溶液中のn-GaAs表面に電気化学エッチングおよび金属...
シソーラス用語：
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走査型トンネル顕微鏡

走査型トンネル顕微鏡 について

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電気化学STM

電気化学STM について


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分類 (2件)：
分類
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半導体-金属接触 
(BM03084G)

半導体-金属接触 について

,  金属薄膜 
(BK14030T)

金属薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
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電気化学

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, 
走査電子顕微鏡

走査電子顕微鏡 について

, 
GaAs

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