兼城千波

カネシロチナミ | Kaneshiro Chinami

研究分野 (2件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学

研究キーワード (2件)：電子工学 , Electronics

競争的資金等の研究課題 (5件)：

2003 - 2004 金属微粒子によるコンタクトマイクロプローブの作製に関する研究
1992 - 1999 電気化学プロセスによるショットキー接触の形成と評価
1999 - 複合機能デバイス
Integrated functional device
Fromation and Characterization of Schottky Contacts by using in situ Electrochemical Process

論文 (13件)：

内嶺佑太, 兼城千波. MOSFET Characteristics with Ge Gate Control Layer for Industry Equipment Application. 6th International Symposium on Technology for Sustainability,. 2016. 41. 1-4
Moyuru Yonaha, Taisuke Hamada, Chinami Kaneshiro. Improvement of Photo Response of pn junction diode Dependent on Surface Structure and dye sensitive pigment. 5th International Symposium on Technology for Sustainability. 2015. D-10. 1-4
酒井大成, 兼城千波. Propagation Characteristics of SAW with Various Periodic Arrays. Proceedings of the HANU-Kosen Joint Conference on global network in a cross-cultural environment. 2015. 88-91
翁長亨輔, 兼城千波. Characteristics of UNCD/a-C:H Film Diodes for the Device Application. Proceedings of the HANU-Kosen Joint Conference on global network in a cross-cultural environment. 2015. 84-87
S. Kamisato, S. Tanifuji, C. Kaneshiro, O. Makishi. AN IMPROVED APPROACH OF EXPERIMENT PROGRAM BASED ON ENGINEERING DESING METHOD. 9th International Symposium on Advances in Technology Education. 2015. 4-2-10

MISC (7件)：

講演・口頭発表等 (16件)：

SAW伝搬路上の構造体による周波数制御
(平成30年度電子情報通信学会九州支部学生講演会 2018)
スパッタガス圧と膜厚に依存したマイクロスプリングプローブの曲げ応力解析
(平成29年度電子情報通信学会支部学生講演会 2017)
GeO2/SiO2界面を有するMOSFETプロセスの検討
(平成29年度電子情報通信学会支部学生講演会 2017)
Ge/Si pn接合ダイオードのアニールによる電気特性の評価
(平成29年度電子情報通信学会九州支部学生講演会 2017)
マイクロスプリングーブの作製と曲げ応力効果
(平成28年電気学会九州支部沖縄支所講演会 2016)

学歴 (4件)：

学位 (1件)：

経歴 (7件)：

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所属学会 (4件)：

MRS , IEEE , 電子情報通信学会 , 応用物理学会

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