横過剰成長した非極性(11-20)a面GaNを介する貫通転位の低減

CRAVEN M D; LIM S H; WU F; SPECK J S; DENBAARS S P

文献

J-GLOBAL ID：200902152374840068 整理番号：02A0682912

横過剰成長した非極性(11-20)a面GaNを介する貫通転位の低減

Threading dislocation reduction via laterally overgrown nonpolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>0) a-plane GaN.

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資料名：
巻： 81 号： 7 ページ： 1201-1203 発行年： 2002年08月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記非極性GaN面の横エピタキシャル過剰成長(LEO)を実証...

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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