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J-GLOBAL ID:200902152433365395   整理番号:02A0610108

低温におけるGaAs(001)-2×4上のトリジメチルアミノひ素の分解とAsの核形成

Decomposition of trisdimethylaminoarsenic and As nucleation on GaAs(001)-2×4 at low temperature.
著者 (8件):
資料名:
巻: 81  号:ページ: 132-134  発行年: 2002年07月01日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 
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