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J-GLOBAL ID：200902152433365395   整理番号：02A0610108

低温におけるGaAs(001)-2×4上のトリジメチルアミノひ素の分解とAsの核形成

Decomposition of trisdimethylaminoarsenic and As nucleation on GaAs(001)-2×4 at low temperature.

著者 (8件)： KURAMOCHI H (Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN) ,  CUI J (Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN) ,  OZEKI M (Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN) ,  UCHIDA H (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  AKINAGA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  YOSHIDA H (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SANADA N (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKUDA Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 1  ページ： 132-134  発行年： 2002年07月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(001)-2×4上のトリジメチルアミノひ素(TDM...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

物質索引 (1件)： トリス(ジメチルアミノ)アルシン

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温 ,  GaAs ,  ひ素 ,  分解 ,  核形成