結晶引き上げ修正によるゲート酸化物の改良とそのデバイス故障への影響

WINKLER R; SANO M

文献

J-GLOBAL ID：200902152474212501 整理番号：94A0524130

結晶引き上げ修正によるゲート酸化物の改良とそのデバイス故障への影響

Improvement of the Gate Oxide Integrity by Modifying Crystal Pulling and Its Impact on Device Failures.

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巻： 141 号： 5 ページ： 1398-1401 発行年： 1994年05月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ホットゾーンを種々に修正し,各種引き上げ速度で成長させたCz...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 半導体の結晶成長

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