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J-GLOBAL ID：200902152624322050   整理番号：01A0431272

極性制御MBEによる高品質GaN膜の成長

著者 (6件)： 清水三郎 (日本真空技術 技術開発部) ,  園田早紀 (日本真空技術 技術開発部) ,  鈴木康正 (日本真空技術) ,  奥村元 (電総研) ,  沈旭強 (電総研) ,  清水三聡 (電総研)
資料名： ULVAC Technical Journal  (ULVAC Technical Journal)
号： 53  ページ： 16-21  発行年： 2000年09月20日 
JST資料番号： L3761A  ISSN： 0910-6189  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MBE法で作製したGaN等の窒化物薄膜はMOCVD膜と比較し...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極性 ,  MBE ,  高品質 ,  GaN ,  成長