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J-GLOBAL ID：200902152628030169   整理番号：99A0420133

EEPROM/フラッシュ用バリスティック直接注入法による低電圧,低電流,高速プログラムのステップスピリットゲートセル

Low Voltage, Low Current, High Speed Program Step Split Gate Cell with Ballistic Direct Injection for EEPROM/Flash.

著者 (9件)： OGURA S (Halo LSI Inc., NY, USA) ,  HORI A (Matsushita Electronics Corp.) ,  KATO J (Matsushita Electronics Corp.) ,  YAMANAKA M (Matsushita Electronics Corp.) ,  ODANAKA S (Matsushita Electronics Corp.) ,  AKAMATSU K (Matsushita Electronics Corp.) ,  OGURA T (Halo LSI Inc., NY, USA) ,  KOJIMA M (Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.) ,  KOTANI H (Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998  ページ： 987-990  発行年： 1998年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DRAMに対してEEPROM/フラッシュの利点はその不揮発性...

シソーラス用語： *EEPROM ,...
準シソーラス用語： バリスティック直接注入 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： EEPROM ,  フラッシュ ,  バリ ,  スティック ,  注入 ,  低電圧