光促進湿式エッチングによるn型GaN膜中の転位密度の短時間評価

YOUTSEY C; ROMANO L T; MOLNAR R J; ADESIDA I

文献

J-GLOBAL ID：200902152838312086 整理番号：99A0624623

光促進湿式エッチングによるn型GaN膜中の転位密度の短時間評価

Rapid evaluation of dislocation densities in n-type GaN films using photoenhanced wet etching.

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巻： 74 号： 23 ページ： 3537-3539 発行年： 1999年06月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaN膜をHgランプ照射下においてKOH希薄水溶液でエッチす...

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半導体の格子欠陥

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