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J-GLOBAL ID:200902152838312086   整理番号:99A0624623

光促進湿式エッチングによるn型GaN膜中の転位密度の短時間評価

Rapid evaluation of dislocation densities in n-type GaN films using photoenhanced wet etching.
著者 (4件):
資料名:
巻: 74  号: 23  ページ: 3537-3539  発行年: 1999年06月07日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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GaN膜をHgランプ照射下においてKOH希薄水溶液でエッチす...
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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半導体の格子欠陥 

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