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J-GLOBAL ID:200902153044428167   整理番号:96A0642898

半導体ヘテロ構造ZnSe/GaAs(100)の界面誘起光学異方性の測定

Measurement of Interface-Induced Optical Anisotropies of a Semiconductor Heterostructure: ZnSe/GaAs(100).
著者 (7件):
資料名:
巻: 77  号:ページ: 326-329  発行年: 1996年07月08日 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体ヘテロ構造における表面及び界面誘起異方性のその場同時測...
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分類 (2件):
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半導体の表面構造  ,  光物性一般 

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