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文献
J-GLOBAL ID:200902153328538914   整理番号:99A0535040

走査型トンネル顕微鏡で調べたSi(100)のビスマス誘起表面構造

Bismuth-induced surface structure of Si(100) studied by scanning tunneling microscopy.
著者 (5件):
資料名:
巻: 142  号: 1/4  ページ: 38-42  発行年: 1999年04月
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Si(100)表面のBi誘起構造をSTMで調べた。480°Cの...
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分類 (2件):
分類
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物理的手法を用いた吸着の研究  ,  半導体の表面構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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