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J-GLOBAL ID：200902153410225126   整理番号：00A0420748

ぎりぎり第1種のGaAs/AlAs超格子におけるWannier-Stark局在の電場に誘起された結合及び第1種-第2種クロスオーバ

Electric-field-induced combination of Wannier-Stark localization and type-I-type-II crossover in a marginal type-I GaAs/AlAs superlattice.
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著者 (7件)：
OHTANI N

OHTANI N について

(ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN)

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DOMOTO C

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(ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN)

ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN について

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EGAMI N

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(ATR Adaptive Communications Res. Lab., Kyoto, JPN)

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MIMURA H

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(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

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ANDO M

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(Osaka City Univ., Osaka, JPN)

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NAKAYAMA M

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(Osaka City Univ., Osaka, JPN)

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HOSODA M

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(ATR Optical and Radio Communications Res. Lab., Kyoto, JPN)

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 61  号： 11  ページ： 7505-7510  発行年： 2000年03月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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*ヒ化アルミニウム

ヒ化アルミニウム について

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分類 (2件)：
分類
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半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

,  半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

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電場

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クロスオーバ

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