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J-GLOBAL ID：200902153510557169   整理番号：01A0777305

第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析

Study of (100)InP Surface Using Molecular Orbital Calculation Method.

著者 (6件)： 山村要一 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  葛西悠葵 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  宮村悟史 (金沢大 工) ,  猪熊孝夫 (金沢大 工) ,  飯山宏一 (金沢大 工) ,  高宮三郎 (金沢大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 104(ED2001 44-51)  ページ： 39-46  発行年： 2001年06月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 硫黄やセレンを用いた表面処理は化合物半導体表面のパッシベーシ...

シソーラス用語： *リン化インジウム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (10件)：

• TSUZUKU, T. Jpn. Appl. Phys. 2000, 39, 5788-5793
• ICHIKAWA, S. Physical Review B. 2000, 61, 19
• KUNIHIRO, K. IEDM98. 1998, 71-74
• 高谷信一郎. 電信技報. ED96-124
• 足立裕彦監修. 初めての電子状態計算. 1997

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理計算 ,  InP ,  電子状態 ,  解析