文献

J-GLOBAL ID：200902163023851952   整理番号：01A0052274

前処理化学種のpHを制御してウエハ上に形成したNi/n-GaAsのSchottky障壁高さの二つのレベル 酸素吸着の効果

Two Levels of Ni/n-GaAs Schottky Barrier Heights Formed on a Wafer by Controlling pH of Pretreatment Chemicals. Effect of Oxygen Adsorption.

著者 (6件)： TSUZUKU T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  SUGIMURA T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  KASAI Y (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  INOKUMA T (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  IIYAMA K (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN) ,  TAKAMIYA S (Kanazawa Univ., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 10  ページ： 5788-5793  発行年： 2000年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pHを変えて標記接合のSchottky障壁高を制御した。希釈...

シソーラス用語： 前処理 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0052274&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (9件)：

• 1) H. Hasegawa: Solid-State Electron. 41 (1997) 1441.
• 2) O. Sugino and B. D. Yu: Oyo Buturi 68 (1999) 1397 [in Japanese].
• 3) K. Hirose: Trans. IEICE C-II 82 (1999) 1 [in Japanese].
• 4) T. Ohmi: Ultraclean ULSI Gijutu (Baifukan, Tokyo, 1995) [in Japanese].
• 5) T. Sugimura, T. Tsuzuku, T. Katsui, Y. Kasai, T. Inokuma, S. Hashimoto, K. Iiyama and S. Takamiya: Solid-State Electron. 43 (1999) 1571.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学種 ,  pH ,  ウエハ ,  Ni ,  GaAs ,  Schottky障壁高さ ,  酸素吸着