シリコンの結晶方位を利用した一次元のナノ細線構造の作製とこれらのコンダクタンス特性

NAMATSU H; HORIGUCHI S; NAGASE M; KURIHARA K

文献

J-GLOBAL ID：200902153519339768 整理番号：97A1011403

シリコンの結晶方位を利用した一次元のナノ細線構造の作製とこれらのコンダクタンス特性

Fabrication of one-dimensional nanowire structures utilizing crystallographic orientation in silicon and their conductance characteristics.

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巻： 15 号： 5 ページ： 1688-1696 発行年： 1997年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ポイントコンタクトをもつ一次元Siナノ細線の作製法を提案した...

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固体デバイス製造技術一般 , 金属-絶縁体-半導体構造

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