文献

J-GLOBAL ID：200902153676913818   整理番号：01A0382539

NV-SRAM バックアップ強誘電体キャパシタを持った不揮発SRAM

NV-SRAM A Nonvolatile SRAM with Backup Ferroelectric Capacitors.

著者 (9件)： MIWA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMADA J (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOIKE H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TOYOSHIMA H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  AMANUMA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI S (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TATSUMI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAEJIMA Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HADA H (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 36  号： 3  ページ： 522-527  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.25μm ASIC SRAMマクロを,わずか17%のセル...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： オーバヘッド ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0382539&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0761A") }}

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： SRAM ,  バックアップ ,  強誘電体キャパシタ