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J-GLOBAL ID：200902153977387020   整理番号：00A0902530

その場蒸気生成(ISSG)による超薄膜SiO₂の信頼性に関するH₂含有量効果

Effect of H₂ Content on Reliability of Ultrathin In-Situ Steam Generated (ISSG) SiO₂.

著者 (8件)： LUO T Y (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  LAUGHERY M (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  BROWN G A (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  AL-SHAREEF H N (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  WATT V H C (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  KARAMCHEEI A (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  JACKSON M D (International Sematech, Inc., TX, USA) ,  HUFF H R (International Sematech, Inc., TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 21  号： 9  ページ： 430-432  発行年： 2000年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合H₂/O₂雰...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蒸気生成 ,  超薄膜 ,  SiO2 ,  H2 ,  含有量