文献

J-GLOBAL ID：200902153999148967   整理番号：00A0502475

単一層InAs量子ドットレーザの極低しきい値電流密度の室温連続発振

Very Low Threshold Current Density Room Temperature Continuous-Wave Lasing from a Single-Layer InAs Quantum-Dot Laser.

著者 (6件)： HUANG X (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  STINTZ A (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  HAINS C P (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  LIU G T (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  CHENG J (Univ. New Mexico, NM, USA) ,  MALLOY K J (Univ. New Mexico, NM, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： 227-229  発行年： 2000年03月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪InGaAs量子井戸にInAs量子ドット(QD)層を一層埋...

シソーラス用語： *量子ドット ,...
準シソーラス用語： 特性温度

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0502475&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0721A") }}

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単一層 ,  InAs量子ドット ,  レーザ ,  極 ,  しきい値電流密度 ,  室温 ,  連続発振