有機金属気相エピタクシーによるGaAs基板上でのInPの2段階成長

文献

J-GLOBAL ID：200902154006977935 整理番号：97A0125641

Two-step growth of InP on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy.

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資料名：
巻： 169 号： 4 ページ： 621-624 発行年： 1996年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

有機金属気相エピタクシーによる2段階成長法でGaAs基板上に...

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半導体薄膜

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