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J-GLOBAL ID：200902154204667127   整理番号：96A0165734

GaAs上のInSb,GaSb及びAlSbのナメータスケールのドットの分子ビームエピタキシャル成長

Molecular beam epitaxial growth of InSb, GaSb, and AlSb nanometer-scale dots on GaAs.

著者 (3件)： BENNETT B R (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  MAGNO R (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  SHANABROOK B V (Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 4  ページ： 505-507  発行年： 1996年01月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上にInSb,GaSb及びAlSb薄膜をMBE成...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  InSb ,  GaSb ,  ドット ,  分子ビームエピタキシャル成長