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J-GLOBAL ID：200902154306908838   整理番号：99A1029188

高度なウエハ裏面清浄プロセスで使用可能な焦点深度の縮小を軽減することによるフォトリソグラフィー工程の歩留り向上

Photolithography Yield Enhancement Due to Reduced Consumption of the Usable Depth of Focus Resulting From Advanced Wafer Back Surface Clean Processing.

著者 (8件)： LYSAGHT P S (SEMATECH, Inc., TX) ,  YBARRA I (SEMATECH, Inc., TX) ,  DOROS T (SEMATECH, Inc., TX) ,  BEACH J (SEMATECH, Inc., TX) ,  MELLO J (SEZ America, Inc., AZ) ,  GUPTA G (SEZ America, Inc., AZ) ,  WEST M (SEZ America, Inc., AZ) ,  DEBEAR D (SEZ America, Inc., AZ)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 1999  ページ： 388-393  発行年： 1999年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SEMATECHにおけるフォトリソグラフィー工程の歩留り向上...

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  品質管理一般  (KB04010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウエハ ,  プロセス ,  焦点深度 ,  縮小 ,  フォトリソグラフィー工程 ,  歩留り向上