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J-GLOBAL ID：200902154352254001   整理番号：93A0348715

GaSb/AlGaAsSbにおけるバンドオフセット ショットキバリヤ高さと固有アクセプタの深さとの相関

Band offsets in GaSb/AlGaAsSb: Correlation with the Schottky barrier height and the depth of native acceptors.

著者 (5件)： POLYAKOV A Y (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  MILNES A G (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  EGLASH S J (MIT Lincoln Lab., MA, USA) ,  YE M (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  BOCHKAREV A E (Inst. Rare Metals, Moscow, SUN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 36  号： 4  ページ： 649-651  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAsSb/GaSb格子整合ヘテロ接合における価電子帯...

シソーラス用語： NN接合 ,...
準シソーラス用語： 価電子帯 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaSb ,  バンドオフセット ,  固有 ,  アクセプタ ,  相関