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J-GLOBAL ID:200902154391423988   整理番号:97A0667315

マイクロ波およびミリ波高電力デバイス特集 大きなソースインダクタンスをもつGaAs FETリニアライザを用いたことによる隣接チャネル漏れ電力と相互変調ひずみの改善

Microwave and Millimeterwave High-power Devices. Improvement of Adjacent Channel Leakage Power and Intermodulation Distortion by Using a GaAs FET Linearizer with a Large Source Inductance.
著者 (6件):
資料名:
巻: E80-C  号:ページ: 775-781  発行年: 1997年06月 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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