自己形成TiO<sub>x</sub>拡散障壁を用いた低漏れ電流Cu(Ti)/SiO<sub>2</sub>相互接続方式

LIU C J; CHEN J S

文献

J-GLOBAL ID：200902154610136574 整理番号：02A0359037

自己形成TiO_x拡散障壁を用いた低漏れ電流Cu(Ti)/SiO₂相互接続方式

Low leakage current Cu(Ti)/SiO₂ interconnection scheme with a self-formed TiO_x diffusion barrier.

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巻： 80 号： 15 ページ： 2678-2680 発行年： 2002年04月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiO₂/Si(単結晶ウエハ)上のCu...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 固体デバイス製造技術一般

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自己形成TiOx拡散障壁を用いた低漏れ電流Cu(Ti)/SiO2相互接続方式

自己形成TiO_x拡散障壁を用いた低漏れ電流Cu(Ti)/SiO₂相互接続方式