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J-GLOBAL ID：200902154816148331   整理番号：00A0150646

半導体材料・プロセスの物理と設計 電極の界面構造・安定性の設計 電極の界面構造,安定性,ショットキー障壁の原子レベルでの理解と実効的予測

Designing atomic structure and stability of the contact materials-Microscopic understanding and effective prediction of the atomic structure, stability, and Schottky barrier.

著者 (2件)： 杉野修 (NEC 基礎研) ,  YU B D (NEC 基礎研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 68  号： 12  ページ： 1397-1400  発行年： 1999年12月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体集積回路の電極材料であるCoSi<sub>2</sub...

シソーラス用語： *半導体材料 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (18件)：

• 浜口智尋. 半導体デバイスの物理. 1990
• BARDEEN, J. Phys.Rev. 1947, 71, 717
• TUNG, R. T. J.Vac.Sci.Technol. 1993, B11, 1546
• TERSOFF, J. Phys.Rev.Lett. 1984, 52, 465
• TUNG, R. T. Phys.Rev.Lett. 1984, 52, 462

タイトルに関連する用語 (10件)： 半導体材料 ,  プロセス ,  物理 ,  設計 ,  界面構造 ,  安定性 ,  ショットキー障壁 ,  原子 ,  理解 ,  予測