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J-GLOBAL ID：200902155045732202   整理番号：99A0581402

リモートプラズマMOCVD法によるGaN:H膜の作製 (2) 紫外光導電性

UV-photoconductivity of GaN:H films prepared by Remote-plasma MOCVD.
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著者 (1件)：
八木茂

八木茂 について

(富士ゼロックス)

富士ゼロックス について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 59th  号： 2  ページ： 848  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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リモートプラズマ

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作製

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紫外光

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導電性

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