液相沈着SiO<sub>2-x</sub>膜に対する制御したふっ素濃度及び熱アニーリングの効果

YEH C-F; CHEN C-L

文献

J-GLOBAL ID：200902155130134527 整理番号：95A0976686

液相沈着SiO_2-x膜に対する制御したふっ素濃度及び熱アニーリングの効果

Controlling Fluorine Concentration and Thermal Annealing Effect on Liquid-Phase Deposited SiO_2-xF_x Films.

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巻： 142 号： 10 ページ： 3579-3583 発行年： 1995年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

液相沈着(LPD)法を用いることにより15°Cで,酸化けい素(...

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酸化物薄膜

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液相沈着SiO2-x膜に対する制御したふっ素濃度及び熱アニーリングの効果

液相沈着SiO_2-x膜に対する制御したふっ素濃度及び熱アニーリングの効果