遠隔プラズマ窒化けい素不動態化による1Ωcm p-シリコンにおける記録的に低い表面再結合速度の実現

LAUINGER T; SCHMIDT J; ABERLE A G; HEZEL R

文献

J-GLOBAL ID：200902155195058640 整理番号：96A0261647

遠隔プラズマ窒化けい素不動態化による1Ωcm p-シリコンにおける記録的に低い表面再結合速度の実現

Record low surface recombination velocities on 1Ωcm p-silicon using remote plasma silicon nitride passivation.

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巻： 68 号： 9 ページ： 1232-1234 発行年： 1996年02月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

遠隔プラズマ促進化学蒸着システムで375°Cの低温で窒化けい素...

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半導体結晶の電気伝導 , 光伝導,光起電力

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