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J-GLOBAL ID：200902155252143837   整理番号：00A0562671

化学蒸着における化学反応速度 テトラエトキシシラン(TEOS)からの二酸化けい素の成長

Chemical kinetics in chemical vapor deposition: growth of silicon dioxide from tetraethoxysilane(TEOS).

著者 (4件)： COLTRIN M E (Sandia National Lab., NM, USA) ,  HO P (Sandia National Lab., NM, USA) ,  MOFFAT H K (Sandia National Lab., NM, USA) ,  BUSS R J (Sandia National Lab., NM, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 365  号： 2  ページ： 251-263  発行年： 2000年04月17日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロエレクトロニクス用材料のCVDにおける均一及び不均一...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...

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分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

物質索引 (1件)： テトラエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学蒸着 ,  化学 ,  反応速度 ,  テトラエトキシシラン ,  TEOS ,  二酸化けい素 ,  成長