SiC基板上の高相互コンダクタンスAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

CHEN Q; YANG J W; KAHN M A; PING A T; ADESIDA I

文献

J-GLOBAL ID：200902155767818721 整理番号：97A0788911

SiC基板上の高相互コンダクタンスAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

High transconductance AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors on SiC substrates.

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資料名：
巻： 33 号： 16 ページ： 1413-1415 発行年： 1997年07月31日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

n型SiC基板上に,標記の0.25μmゲートHFETを作成し...

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トランジスタ

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