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J-GLOBAL ID：200902155828907064   整理番号：94A0837139

シリコンオンインシュレータ(SOI)MOSFETのディープサブミクロンチャネル設計

Deep-Submicrometer Channel Design in Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET’s.

著者 (4件)： SU L T (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  JACOBS J B (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  CHUNG J E (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  ANTONIADIS D A (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 15  号： 9  ページ： 366-369  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元シミュレーションにより広範囲のデバイスパラメータにわた...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンオンインシュレータ ,  SOI ,  MOSFET ,  設計