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J-GLOBAL ID：200902155859564890   整理番号：96A0436329

In situ電気化学プロセスによるInP系材料へのショットキー障壁の形成

Formation of Schottky barriers to InP based materials by In Situ electrochemical process.

著者 (5件)： 宇野正一 (北大) ,  佐藤威友 (北大) ,  葛西誠也 (北大) ,  橋詰保 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 3  ページ： 1191  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学 ,  プロセス ,  InP ,  ショットキー障壁