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J-GLOBAL ID：200902155924874126   整理番号：96A0333922

シリコン冷陰極アレイのFIB(Focused Ion Beam)による先鋭化

The sharpening of silicon cold cathode array by FIB(Focused Ion Beam).

著者 (7件)： 山下雅己 (大阪大 基礎工) ,  岸本武久 (大阪大 基礎工) ,  森本泰治 (大阪大 基礎工) ,  高井幹夫 (大阪大 基礎工) ,  由良信介 (三菱電機) ,  細野彰彦 (三菱電機) ,  奥田荘一郎 (三菱電機)
資料名： 大阪大学極限物質研究センター報告書  (Report. Research Center for Extreme Materials, Osaka University)
号： 6  ページ： 15-16  発行年： 1996年01月 
JST資料番号： L2692A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  冷陰極 ,  アレイ ,  FIB ,  先鋭化