単結晶SiCのELID鏡面研削における結晶方位の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902156260017537 整理番号：97A0300844

Influence of Crystalline Direction in ELID-Mirror Surface Grinding of Monocrystalline Silicon Carbide.

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資料名：
巻： 41 号： 3 ページ： 106-108 発行年： 1997年03月
JST資料番号： L0473A ISSN： 0914-2703 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

ELID(電解インプロセスドレッシング)システムを搭載した超...

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研削・研摩材 , セラミック・磁器の性質

引用文献 (4件)：

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