ナノ結晶記憶を使ったシリコンにおける揮発性と不揮発性メモリ

文献

J-GLOBAL ID：200902156340951516 整理番号：97A0015481

Volatile and Non-Volatile Memories in Silicon with Nano-Crystal Storage.

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 1995 ページ： 521-524 発行年： 1995年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サブ3V範囲で動作する個々のナノ結晶の単一電子記憶に対応する...

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半導体集積回路 , その他の固体デバイス

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