文献

J-GLOBAL ID：200902156340951516   整理番号：97A0015481

ナノ結晶記憶を使ったシリコンにおける揮発性と不揮発性メモリ

Volatile and Non-Volatile Memories in Silicon with Nano-Crystal Storage.

著者 (6件)： TIWARI S (IBM Res. Div., NY) ,  RANA F (IBM Res. Div., NY) ,  CHAN K (IBM Res. Div., NY) ,  HANAFI H (IBM Res. Div., NY) ,  CHAN W (IBM Res. Div., NY) ,  BUCHANAN D (IBM Res. Div., NY)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1995  ページ： 521-524  発行年： 1995年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ3V範囲で動作する個々のナノ結晶の単一電子記憶に対応する...

シソーラス用語： ナノ構造 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0015481&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ結晶 ,  シリコン ,  揮発性 ,  不揮発性メモリ