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J-GLOBAL ID：200902156352336477   整理番号：00A0659212

単純なFPN減少技術とホール蓄積ダイオードを持つCMOSイメージセンサ

A CMOS Image Sensor with a Simple FPN-Reduction Technology and a Hole Accumulated Diode.

著者 (4件)： YONEMOTO K (SonyCorp., Kanagawa, JPN) ,  SUMI H (SonyCorp., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI R (SonyCorp., Kanagawa, JPN) ,  UENO T (SonyCorp., Kanagawa, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 43  ページ： 102-103  発行年： 2000年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5トランジスタピクセルとHAD(ホール蓄積ダイオード)を持つ...

シソーラス用語： *イメージセンサ ,...
準シソーラス用語： 固定パターンノイズ ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  撮像・録画装置  (ND12032E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホール ,  蓄積 ,  ダイオード ,  CMOSイメージセンサ