文献

J-GLOBAL ID：200902156356491337   整理番号：98A0441275

室温でSiC上にOhm接触を形成するレーザ合金化

Laser Alloying for Ohmic Contacts on SiC at Room Temperature.

著者 (3件)： OTA Y (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  IKEDA Y (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  KITABATAKE M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 264/268  号： Pt.2  ページ： 783-786  発行年： 1998年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC上にOhm接触を作製する,室温で高電力YAGパルスレー...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  SiC ,  Ohm接触 ,  レーザ合金化