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J-GLOBAL ID：200902156461905406   整理番号：94A0397531

反応性スパッタ法で作製したTi-Zr-N薄膜の構造と電気的特性

Structural and electrical properties of Ti-Zr-N thin film resistor deposited by reactive cosputtering.

著者 (3件)： 反町嘉夫 (長岡工高専) ,  諸橋薫 (長岡技科大) ,  宮内信之助 (長岡技科大)
資料名： 長岡工業高等専門学校研究紀要  (Research Reports of National Institute of Technology, Nagaoka College)
巻： 29/30  号： 4/1  ページ： 3-6  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： F0856A  ISSN： 0027-7568  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来の薄膜抵抗器と比較して,約1桁高い面積抵抗値と約1桁低い...

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,...
準シソーラス用語： TCR【電気抵抗】 ,...

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分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性スパッタ法 ,  作製 ,  Ti ,  Zr ,  薄膜 ,  電気的特性