Non-equilibrium phenomena during impurity diffusion in heavily doped silicon.

文献

J-GLOBAL ID：200902156486292972 整理番号：94A0149886

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 103/105 ページ： 215-220 発行年： 1993年
JST資料番号： D0958B ISSN： 1012-0386 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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