MOVPEにより成長させたGaNエピ層のその場熱処理とInドーピング

文献

J-GLOBAL ID：200902156515982045 整理番号：01A0271103

In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0271103&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0271103&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 221 ページ： 356-361 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

材料特性に対するGaNの初期成長段階におけるその場熱処理と成...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0271103&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

半導体薄膜

, , , , ,

前のページに戻る