サファイア及びSiC基板上のZnOのMBE成長と性質

文献

J-GLOBAL ID：200902156595497258 整理番号：96A0495767

MBE Growth and Properties of ZnO on Sapphire and SiC Substrates.

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資料名：
巻： 25 号： 5 ページ： 855-862 発行年： 1996年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ZnOはGaNのエピタキシャル成長に対するバッファ層として用...

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固体デバイス材料 , 半導体の結晶成長

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