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J-GLOBAL ID：200902156792455125   整理番号：93A0709744

Improved Breakdown-Speed Tradeoff of InP/InGaAs Single Heterojunction Bipolar Transistor Using a Novel p^--n^- Collector Structure.

著者 (7件)： CHAU H-F (Univ. Michigan, MI, USA) ,  PAVLIDIS D (Univ. Michigan, MI, USA) ,  NG G-I (Univ. Michigan, MI, USA) ,  TOMIZAWA K (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  BAKER D M (Epitaxial Products Int. Ltd., Cardiff, GBR) ,  MEATON C (Epitaxial Products Int. Ltd., Cardiff, GBR) ,  TOTHILL J N (Epitaxial Products Int. Ltd., Cardiff, GBR)
資料名： 5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  (5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
ページ： 25-28  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930399  ISBN： 0-7803-0994-4  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： InP ,  InGaAs