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J-GLOBAL ID：200902156837519634   整理番号：93A0690159

Si変調ドープAl_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs MQWにおける深部ドナー状態関連の反ストークス光ルミネセンス

Anti-Stokes photoluminescence related to the deep donor states in Si modulation-doped Al_xGa_1-xAs/Al_yGa_1-yAs MQW.

著者 (2件)： JUNNARKAR M R (NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI E (NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
資料名： 日本物理学会講演概要集(年会)  (日本物理学会年会予稿集)
巻： 48th  号： 2  ページ： 129  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： S0671A  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  変調ドープ ,  XAS ,  MQW ,  深部 ,  ドナー ,  ストークス光 ,  ルミネセンス