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J-GLOBAL ID：200902156982318825   整理番号：99A0991408

SiO₂ガラス/Si融液/SiOガス平衡系中のSiOの蒸気圧

SiO Vapor Pressure in an SiO₂ Glass/Si Melt/SiO Gas Equilibrium System.

著者 (3件)： HUANG X (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  TERASHIMA K (Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  HOSHIKAWA K (Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 10B  ページ： L1153-L1155  発行年： 1999年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski法によるSi結晶成長の際のSiO蒸気圧...

シソーラス用語： 石英ガラス ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  無機物質からなる多成分系の相平衡・状態図  (CB03015S)

引用文献 (14件)：

• 1) K. Hoshikawa, H. Hirata, H. Nakanishi and K. Ikuta: Semiconductor Silicon, eds. H. R. Huff, R. J. Kriegler and Y. Takeshi (The Electrochem. Soc., Pennington, 1981) p. 101.
• 2) X. Huang, K. Terashima, H. Sasaki, E. Tokizaki, Y. Anzai and S. Kimura: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 1717.
• 3) X. Huang, K. Terashima, E. Tokizaki, S. Kimura and E. Whitby: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 3808.
• 4) X. Huang, K. Terashima, K. Izunome and S. Kimura: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L902.
• 5) S. Togawa, X. Huang, K. Izunome, K. Terashima and S. Kimura: J. Cryst. Growth 148 (1995) 70.

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  ガラス ,  Si ,  融液 ,  SiO ,  蒸気圧