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J-GLOBAL ID：200902157093753206   整理番号：02A0941392

n型4H-SiC上に堆積させた酸化膜の窒素パシベーション

Nitrogen passivation of deposited oxides on n 4H-SiC.

著者 (6件)： CHUNG G Y (Sterling Semiconductor, Inc., Florida) ,  WILLIAMS J R (Auburn Univ., Alabama) ,  ISAACS-SMITH T (Auburn Univ., Alabama) ,  REN F (Univ. Florida, Florida) ,  MCDONALD K (Vanderbit Univ., Tennessee) ,  FELDMAN L C (Vanderbit Univ., Tennessee)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 22  ページ： 4266-4268  発行年： 2002年11月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC系MOSの実用化には,SiO<sub>2</su...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  堆積 ,  酸化膜 ,  窒素 ,  パシベーション