文献

J-GLOBAL ID：200902157115933530   整理番号：93A0657960

減圧MOCVD法によるCuAlSe₂の成長 (IV) 不純物添加 (1)

LP-MOCVD growth of CuAlSe₂. (IV). Impurity doping. (1).

著者 (9件)： 秩父重英 (慶応大 理工) ,  白方祥 (愛媛大 工) ,  岩井昭佳 (慶応大 理工) ,  須藤亮 (慶応大 理工) ,  内田盟 (慶応大 理工) ,  原田佳幸 (慶応大 理工) ,  樋口博文 (ベンテック) ,  松本智 (慶応大 理工) ,  磯村滋宏 (愛媛大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 3  ページ： 1202  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 減圧 ,  MOCVD ,  成長 ,  不純物添加