文献

J-GLOBAL ID：200902157150989165   整理番号：95A0649364

Fabrication of submicron relief gratings in p-GaAs in the process of maskless holographic wet etching by laser-induced etch rate reduction method.

著者 (3件)： KHUDOBENKO A I (Scientific Res. Centre for Technological Lasers Russian Sci. Acad., Moscow region, SUN) ,  PANCHENKO V YA (Scientific Res. Centre for Technological Lasers Russian Sci. Acad., Moscow region, SUN) ,  SEMINOGOV V N (Scientific Res. Centre for Technological Lasers Russian Sci. Acad., Moscow region, SUN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 2403  ページ： 409-413  発行年： 1995年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  LASER