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J-GLOBAL ID：200902157483220560   整理番号：00A0987894

スピン依存するトンネル効果を用いたダイオードなしのランダムアクセス磁気メモリ

Diode-free magnetic random access memory using spin-dependent tunneling effect.

著者 (1件)： WANG F Z (Univ. North London, London, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 13  ページ： 2036-2038  発行年： 2000年09月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の磁気メモリは,2組の導線,各交点での磁気トンネル接合配...

シソーラス用語： *トンネル効果 ,...

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分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： スピン ,  トンネル効果 ,  ダイオード ,  ランダムアクセス ,  磁気メモリ