文献
J-GLOBAL ID：200902157493933840
整理番号：00A0144880
高密度SiH4マイクロ波プラズマを用いる微結晶けい素の高速堆積
Fast Deposition of Microcrystalline Silicon Using High-Density SiH4 Microwave Plasma.
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著者 (5件)：
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資料名：
巻：
38
号：
12A
ページ：
6629-6635
発行年：
1999年12月15日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜
引用文献 (19件)：
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1) J. Meier, P. Torres, R. Platz, S. Dubail, U. Kroll, J. A. N. Selvan, N. Pellaton Vaucher, Ch. Hof, D. Fischer, H. Keppner, A. Shar, K.-D. Ufert, P. Giannoules and J. Koehler: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 420 (1996) 3.
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2) K. Yamamoto, M. Yoshimi, T. Suzuki, Y. Tawada, T. Okamoto and A. Nakajima: to be published in Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (1998).
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3) K. Prasad, F. Finger, S. Dubail, A. Shah and M. Schubert: J. Non-Cryst. Solids 137&138 (1991) 681.
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4) T. Watanabe, M. Tanaka, K. Azuma, M. Nakatani, T. Sonobe and T. Shimada: Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L288.
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5) N. Imajo: J. Non-Cryst. Solids 198-199 (1996) 681.
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