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J-GLOBAL ID：200902157811692075   整理番号：97A0560239

水素終端Si(111)表面上のAg成長と再構成

Reconstruction and growth of Ag on hydrogen-terminated Si(111) surfaces.

著者 (5件)： OHBA Y (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA I (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  YAMAMOTO Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATAMORI M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OURA K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 113/114  ページ： 448-452  発行年： 1997年04月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸着温度が室温,200°C及び300°Cにおける標記Ag膜成長の...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素終端 ,  Si ,  Ag ,  成長 ,  再構成