テラヘルツ周波数における適度にドープしたシリコンの光学特性と電子特性の温度依存性

NASHIMA S; MORIKAWA O; TAKATA K; HANGYO M

文献

J-GLOBAL ID：200902158085484103 整理番号：01A0815341

テラヘルツ周波数における適度にドープしたシリコンの光学特性と電子特性の温度依存性

Temperature dependence of optical and electronic properties of moderately doped silicon at terahertz frequencies.

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資料名：
巻： 90 号： 2 ページ： 837-842 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

適度にりんをドープしたシリコンウェーハ(室温で1.1±0.2...

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光物性一般 , 半導体結晶の電気伝導

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